電鑄（Electroforming）在 AI 產業相關製造中扮演關鍵角色，廣泛應用於先進封裝微結構、高密度互連、矽穿孔封裝（Through-Silicon
Via, TSV）、微孔電鑄成型技術（Microvia / High-Aspect-Ratio
Electroforming）、精密金屬模具，以及資料中心高速連接器與散熱元件等領域。隨著 AI 晶片朝向高 I/O 密度與高功率發展，電鑄製程對鍍層厚度均勻性、邊角效應控制與高深寬比結構的形狀複製精度要求大幅提升，傳統依賴經驗與試產的設計方式已難以滿足產業需求。
本課程將以 COMSOL 電鑄／電沈積模擬 為核心，介紹電場與電流分佈、電極反應動力學、沈積速率與鍍層厚度演變等關鍵物理模型，並說明如何透過輔助陽極（Auxiliary Anode）與屏蔽（Shield）設計，改善 TSV 與微孔電鑄成型中的鍍層均勻性並降低製程風險。課程亦結合 AI 代理模型（Surrogate Model） 的概念，說明如何加速製程最佳化與逆向設計流程，協助工程師在 AI 相關製程開發中降低試錯成本、提升良率。課程重點在於概念理解與實務案例分享，適合對電鑄製程、先進封裝與 AI 產業製造應用有興趣的工程與研發人員參加。
