在追求極致功率密度的今天，您的 SiC 元件真的能扛住那關鍵的幾微秒嗎？
隨著電動車與再生能源產業發展，寬能隙半導體（如 SiC MOSFET）在高電壓、高頻率環境下的可靠度至關重要。當短路發生時，元件內部的溫度會在瞬間從室溫飆升至1500度，這不僅僅是散熱問題，而是一場「電力、高溫、力學」三者多物理問題。本課程將帶領您透過 COMSOL 的多物理量耦合技術，將這些「看不見」的物理場具體化，解決功率半導體開發中最難跨越的可靠度門檻。
毫秒級的「電－熱」同步演化分析
短路瞬間的強大電流會產生劇烈的焦耳熱。本課程教您如何模擬電力與溫度的雙向即時回饋。當溫度升高導致電性改變時，模擬如何精準追蹤這種動態惡性循環，而非僅是靜態分析。
應力連鎖反應：預測封裝層的斷裂與剝離
熱脹冷縮不只是變形，它會產生毀滅性的機械應力。這是本課程的重頭戲——熱力耦合（Thermomechanical Coupling）。分析不同材料層（SiC、金屬、絕緣層）因膨脹係數差異產生的剪應力。預測介電層在何時會產生脆性斷裂，以及封裝界面何時會發生層間剝離。
AI 代理模型：從「數小時」縮短至「毫秒級」
- 智慧加速： 學習利用 AI 代理模型（Surrogate Modeling） 提取 COMSOL 的高保真數據，訓練神經網路。一旦訓練完成，您可以在幾毫秒內預測不同設計參數下的熱應力分佈，實現「即時」的設計變更回饋，讓研發速度產生量級跳躍。
- 智慧優化： 不必再一個個嘗試散熱結構或封裝材料的組合。結合機器學習優化演算法，讓 AI 自動在成千上萬種幾何參數中，找出能最大程度降低「層間剝離應力」的黃金比例。
